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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
52
周辺 48% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.8
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
7.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
52
読み出し速度、GB/s
13.8
10.0
書き込み速度、GB/秒
8.4
7.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2306
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-026.A00G 8GB
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Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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