RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
52
Autour de 48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
52
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2306
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link