RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
52
Autour de 48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
52
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2306
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link