RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 35
    周辺 23% 低遅延
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.3 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 11.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 2848

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
メモリRAM
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
メモリRAM