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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2848
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
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