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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
73
周辺 63% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
7.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.1
13.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
73
読み出し速度、GB/s
13.8
14.1
書き込み速度、GB/秒
8.4
7.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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