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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
73
读取速度,GB/s
13.8
14.1
写入速度,GB/s
8.4
7.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1609
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
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