RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

PNY Electronics PNY 2GB против Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 73
    Около 63% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    8.4 left arrow 7.1
    Среднее значение в тестах
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    14.1 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 73
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 14.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 7.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 1609

PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 99U5403-083.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-083.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
модули RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
модули RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
модули RAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
модули RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
модули RAM