PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

総合得点

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

相違点仕様コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB

考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 43

周辺 37% 低遅延

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

15 13.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.0 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

23400 10600

周辺 2.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

PNY Electronics PNY 2GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 43
読み出し速度、GB/s

13.8 15.0
書き込み速度、GB/秒

8.4 13.0
メモリ帯域幅、mbps

10600 23400

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2274 2794

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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