PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

总分
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

总分
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    27 left arrow 43
    左右 37% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    15 left arrow 13.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.0 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    23400 left arrow 10600
    左右 2.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    27 left arrow 43
  • 读取速度,GB/s
    13.8 left arrow 15.0
  • 写入速度,GB/s
    8.4 left arrow 13.0
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2274 left arrow 2794
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