RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

総合得点
star star star star star
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB 考慮すべき理由
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 11.6
    テスト平均値
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    48 left arrow 106
    周辺 -121% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 2,069.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    106 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    3,273.7 left arrow 11.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,069.2 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    734 left arrow 2466

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB RAMの比較

Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
メモリRAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
メモリRAM
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
メモリRAM