RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
106
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,069.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
106
48
Prędkość odczytu, GB/s
3,273.7
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,069.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
734
2466
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Porównanie pamięci RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link