Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

総合得点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

32 46

周辺 -44% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

22.6 2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

16.4 1,519.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 3200

周辺 6.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

46 32
読み出し速度、GB/s

2,909.8 22.6
書き込み速度、GB/秒

1,519.2 16.4
メモリ帯域幅、mbps

3200 21300

Other

商品説明

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
タイミング / クロック速度

3-3-3-12 / 400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

241 3837

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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