RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
46
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.6
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
32
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
22.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3837
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link