RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.6
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3837
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link