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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
比較する
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
総合得点
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,622.0
13.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
77
周辺 -157% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
77
30
読み出し速度、GB/s
3,405.2
17.6
書き込み速度、GB/秒
2,622.0
13.9
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
763
3473
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
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