RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3473
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link