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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

総合得点
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,622.0 left arrow 12.4
    テスト平均値
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 77
    周辺 -148% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow no data
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 3043

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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