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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
77
Por volta de -148% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
no data
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
, 1.20000005, CAS Supported:
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3043
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
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