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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
77
Autour de -148% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
no data
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
, 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3043
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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