Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 16.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,622.0 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 77
    Около -148% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    77 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,405.2 left arrow 16.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,622.0 left arrow 12.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow no data
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    763 left arrow 3043
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения