RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,622.0 left arrow 12.7
    テスト平均値
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB 考慮すべき理由
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    63 left arrow 77
    周辺 -22% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 5300
    周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 63
  • 読み出し速度、GB/s
    3,405.2 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,622.0 left arrow 12.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    763 left arrow 2543

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
メモリRAM