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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
63
77
Por volta de -22% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
63
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2543
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
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