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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB

総合得点
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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
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Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 39
    周辺 5% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 8.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    14.6 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2409 left arrow 2340

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