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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
総合得点
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
18.5
12.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.7
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
28
読み出し速度、GB/s
12.7
18.5
書き込み速度、GB/秒
7.5
15.7
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1988
3601
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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