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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
総合得点
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
総合得点
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.6
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
56
周辺 -93% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
1,813.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
6400
周辺 3.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
56
29
読み出し速度、GB/s
4,387.7
15.6
書き込み速度、GB/秒
1,813.5
12.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
23400
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
693
3093
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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