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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
56
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
6400
Rund um 3.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
23400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3093
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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