Comparaison de la RAM Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Note globale

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

29 56

Autour de -93% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.9 1,813.5

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

23400 6400

Autour de 3.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

693 3093

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns