Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Puntuación global
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Puntuación global
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 15.6
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 56
    En -93% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.9 left arrow 1,813.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    23400 left arrow 6400
    En 3.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    56 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,387.7 left arrow 15.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,813.5 left arrow 12.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    693 left arrow 3093
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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