RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点
star star star star star
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
バグを報告する
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB 考慮すべき理由
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 51
    周辺 -89% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.6 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.0 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 19.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 16.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2208 left arrow 3909

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAMの比較

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
メモリRAM