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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点
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Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 6.1
    テスト平均値
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 51
    周辺 -96% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 12.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 6.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2208 left arrow 1711

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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
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Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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