RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    49 left arrow 53
    周辺 8% 低遅延
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 53
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 14.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2070 left arrow 3020

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAMの比較

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
メモリRAM