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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
53
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
53
读取速度,GB/s
10.1
14.0
写入速度,GB/s
7.8
12.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3020
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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