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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB

総合得点
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
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Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 13.9
    テスト平均値
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB 考慮すべき理由
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    81 left arrow 104
    周辺 -28% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.5 left arrow 2,404.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 81
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 7.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 1554

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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston 9905598-009.A00G 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston 9905624-016.A00G 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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