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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
11.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
104
周辺 -247% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.9
2,404.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
30
読み出し速度、GB/s
3,192.0
11.2
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
7.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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