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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
13.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,404.5
10.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
104
周辺 -300% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
26
読み出し速度、GB/s
3,192.0
13.7
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
10.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
タイミング / クロック速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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