Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

总分
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

总分
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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 13.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,404.5 left arrow 10.2
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    26 left arrow 104
    左右 -300% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    104 left arrow 26
  • 读取速度,GB/s
    3,192.0 left arrow 13.7
  • 写入速度,GB/s
    2,404.5 left arrow 10.2
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    786 left arrow 2594
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