RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 18.8
    テスト平均値
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 73
    周辺 -181% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 1,423.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    3,510.5 left arrow 18.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,423.3 left arrow 15.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    476 left arrow 3733

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAMの比較

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB RAMの比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
メモリRAM
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
メモリRAM