RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
73
Por volta de -181% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
15.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
3733
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link