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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
73
En -181% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3733
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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