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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
73
En -181% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3733
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
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Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
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