RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
73
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3733
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link