RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
比較する
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
総合得点
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
総合得点
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
68
86
周辺 21% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
3
14.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
1,702.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
68
86
読み出し速度、GB/s
3,886.6
14.3
書き込み速度、GB/秒
1,702.6
8.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
654
1658
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAMの比較
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB RAMの比較
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre 8GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link