RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
68
86
Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
86
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
1658
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link