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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

総合得点
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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 13.8
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 61
    周辺 -118% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 1,903.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    61 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    4,668.9 left arrow 13.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,903.1 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    735 left arrow 2179

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