RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
61
Около -118% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,903.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,668.9
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,903.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
735
2179
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link