RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
61
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,903.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,668.9
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,903.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
735
2179
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link