RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
61
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,903.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,668.9
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,903.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
735
2179
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX8GX3M2A1600C9 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link