Comparaison de la RAM Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Note globale

Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 61

Autour de -118% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

10.1 1,903.1

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 6400

Autour de 2.66 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

735 2179

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns