Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

総合得点
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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

相違点

  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 6.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 8500
    周辺 1.51% 高帯域
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 44
    周辺 -52% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    13.0 left arrow 9.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 6.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 8500
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2069 left arrow 1207
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