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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Confronto
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
6.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
8500
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
44
Intorno -52% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
44
29
Velocità di lettura, GB/s
13.0
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
6.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
8500
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2069
1207
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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