Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13 left arrow 9.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 6.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 8500
    En 1.51% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 44
    En -52% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    44 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.0 left arrow 9.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 6.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 8500
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2069 left arrow 1207
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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