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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
8500
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
44
En -52% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
44
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
8500
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2069
1207
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
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