RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
8500
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
8500
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
1207
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link